IV1Q12080T3Z是一款1200V 80mhom SiC MOSFET产品，专门针对汽车电子对高可靠性、高品质和高性能的要求而设计，具有高耐压、低导通电阻等特点，设计的工作温度范围是-55℃-175℃，能适应汽车在高寒或高温下的复杂严峻工况。该产品适用于更高开关频率的系统应用，能显著减少磁性组件体积和重量。   

    对比硅（Si）器件，具备更小的导通电阻、反向恢复电荷更低的体二极管；对比同类碳化硅（SiC）器件，具备更低的寄生电容，能更显著地减少电路开关和导通损耗。