得益于SiC（碳化硅）优异的材料性能，SiC MOSFET器件具有高击穿电压、高开关频率、高工作温度等优势，应用SiC MOSFET器件可以大幅度提升电力电子系统的电能转换效率，缩小系统体积和重量，提升系统可靠性。中电国基南方开发的WM1A系列SiCMOSFET器件性能对标国外龙头企业核心产品，实现了国产化自主保障。其中WM1A080120K1型SiCMOSFET批量应用于电动汽车车载OBC中。